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你真的了解等離子體改性及刻蝕技術嗎?

更新時間:2022-06-24      點擊次數:1583
  等離子體改性及刻蝕可分為兩個過程:首先,在等離子體中產生化學活性成分;其次,這些活性成分與固體材料發生反應,形成揮發性化合物,從表面擴散開來。例如,CF4離解產生的f與s反應生成SiF4氣體,導致在含Si材料表面形成微銑削結構。等離子刻蝕是一個總稱,包括離子刻蝕、濺射刻蝕和等離子灰化。
  
  基材和工藝參數決定了表面改性的類型,基材溫度、處理時間和材料擴散特性決定了改性的深度。等離子只能在表面蝕刻幾微米,改性材料的表面性能發生了變化,但仍能保持材料的大部分性能。該技術還可用于表面清洗、定線、粗化、改變親水性和附著力等,還可使電鏡下觀察的樣品變薄,用于半導體集成電路的制造過程。在化學濺射中,會發生反應并產生揮發性產物。常見的氣體包括AR、He、O2、H2、H2O、CO2、Cl2、F2和有機蒸氣。與化學反應的等離子濺射相比,惰性離子濺射更像是一個物理過程。
  
  等離子體改性及刻蝕工藝中具有很多優勢,比如可以更精確地控制工作尺寸、更高的刻蝕速率和更好的材料選擇性。高密度等離子源可以在低壓下工作,以減少鞘層振蕩。在使用高密度等離子源蝕刻晶圓時,為了使能量和離子通量相互獨立,需要使用獨立的射頻源對晶圓進行偏置。因為典型的離子能量在幾個電子伏特量級,離子進入負鞘層后,加速后能量會達到幾百個電子伏特,并且具有很高的指向性,從而賦予離子刻蝕的各向異性。
  
  多功能寬密度等離子體改性及刻蝕產品特點:
  
  1、基板臺可電動旋轉、加熱和提升。
  
  2、配備手動高真空閘閥、手動角閥和電腦復合真空計。
  
  3、由于采用超高真空密封技術,極限真空度高,沉積室可進入10-5pa量級,可保證更高的鍍層純度,提高鍍層質量。
  
  4、自動監控與保護功能,包括缺水欠壓檢測與保護、相序檢測與保護、溫度檢測與保護、真空系統檢測與保護等。
  
  5、配備可切換觀察窗,方便觀察和取樣。
  
  6、設備真空系統采用分子泵+機械泵真空機組。
  
  7、采用磁耦合傳動密封技術密封運動部件。

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